12月15日，东北证券发布电子行业报告。

近期，长鑫存储发布了最新的DDR5产品系列：最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，并推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFFMRDIMM等七大模组及新型产品，覆盖服务器、工作站及个人电脑等全场景领域，满足各领域的高端市场需求。

国产存储芯片突破高端产品市场，中高端产品线迎接存储旺盛需求。此次长鑫存储推出的最新DDR5产品系列，已经达到业内领先水平。在存储需求受到AI强劲拉动的背景下，国产存储芯片有望在高端市场与海外大厂同台竞技。与此同时，海外大厂纷纷将原有中端产能向高端产品进行切换（DDR4转向DDR5，传统DRAM转向HBM），原本中端市场出现大量供给缺口，驱动相关产品价格持续上涨，国产存储芯片厂商有望借此机会快速抢占市场份额，迎来中高端产品双重爆发。

国产存储厂商即将相继上市，IPO助力产能大扩张。此前长鑫科技已经完成为期三个月的IPO辅导工作，即将在A股上市。而据相关产业链消息，长江存储也将在明年启动上市进程。国产存储厂商的相继上市，有望充分借助资本市场的力量，加快产能建设。目前长鑫存储产能预计超过20万片/月，根据CounterpointResearch，3Q25长鑫全球出货量份额上升至8%；长江存储作为NAND领域国内唯一具备全球竞争力的企业，2025年第二季度市占率达9%，预计到2028年长江存储产能达到30万片/月，占全球产能比重有望升至15%。粗略估算，每扩产1万片/月的存储产能，设备资本开支在10-15亿美元，假设未来三年长鑫存储和长江存储分别扩产20万片/月，则总设备资本开支有望超过400亿美元。

设备国产化率持续提升，充分受益存储扩产周期。根据产品结构不同，在DRAM领域，光刻/刻蚀/薄膜沉积三大类设备价值量占比均超过20%，而在NAND领域，刻蚀和薄膜沉积两大类设备的价值量占比将显著提升。目前国内相关设备厂商经过长时间的发展，产品性能不断迭代，可覆盖制程以及工艺节点不断优化，已经在多个领域实现了国产替代。与此同时，国内设备厂商几乎实现了零部件百分百非美化，在国际局势日益复杂的背景下，自主可控的能力大幅提升。上一轮设备大周期是2019年开始的成熟制程大扩产，而这一轮存储扩产大周期，则有望推动设备及零部件行业再创业绩新高。

扩产后周期，材料板块强势接续。随着明后年存储厂商新产能不断释放，产量有望大幅增加，带动芯片生产过程中耗材的需求。对于目前渗透率较高的材料（如CMP抛光液/抛光垫等），相关厂商直接受益于存储产量释放；对于目前渗透率较低的材料（如光刻胶等），相关厂商有望受益于渗透率提升+需求放量双重驱动。

在AI存储需求爆发与供应链自主可控的双重驱动下，国内半导体设备与材料企业有望持续受益于这一轮“超级周期”，实现技术突破与市场扩张的良性循环。