9月24日，财通证券发表观点称：掩膜版是光刻工艺的图形母版、晶圆制造第三大材料，空白掩膜版则是掩膜版上游的卡脖子环节之一。掩膜版是承载芯片电路图形并通过曝光将其批量转移至硅片的“蓝本”，其品质直接决定下游良率，同时市场规模约占晶圆制造材料的12%，仅次于硅片与电子特气，根据SEMI测算，2025年半导体掩膜版国内市场空间达百亿元量级。技术难度上，随着半导体工艺的不断升级，半导体掩模版对最小线宽、CD精度等要求日益严苛；而空白掩膜版是技术壁垒最高的环节，被美日韩企业长期垄断。空白掩膜版的难点在于，石英基板需达到亚纳米级平整度与极低缺陷密度，其直接决定光刻图形转移精度。据半导体前沿，当前国内半导体掩膜版整体国产化率约10%、高端仅约3%；空白掩膜版环节更为严峻，ArF基板国产化率几乎为零、EUV基板处于禁运状态，掩膜版与空白掩膜版由此成为继光刻胶之后国产光刻材料链条上最具紧迫性的拼图之一。

制程节点缩进、先进制程多重曝光与先进封装三重叠加，掩膜版量价齐升。掩膜版需求兼具设备属性与耗材属性，新增产线、新品流片与半导体技术迭代带来增量光罩需求，而曝光次数累积则决定更换频率，2026-2027年国内晶圆厂扩产与国产算力芯片密集迭代形成需求共振。具体来看，制程节点缩进带动掩膜版层数增加，据ICKnowledge统计，130nm节点所需掩膜版层数约30层，28nm节点增至约50层，14nm/10nm节点进一步达到60层；多重曝光将单层掩膜数量由1张提升至2-4张甚至更多，制造复杂度与单价同步抬升；CoWoS/CoWoP等先进封装对封装掩膜版提出更小线宽、更大面积、更高套刻精度的要求；供给端，EUV掩膜基板由日系掌控九成以上供给、定价权持续强化，日本对华出口管制后先进光刻材料价格亦明显上行，成为国产替代加速的现实催化，据SEMI预计2025年中国半导体掩膜版需求约6.95亿美元。综合来看，需求端量价齐升与供给端日系主导、出口管制收紧形成共振，掩膜版作为晶圆制造第三大材料的战略地位持续凸显，国产替代正迎来加速窗口。

日系长期垄断，2026年是验证导入与产能落地的关键窗口。空白掩膜版全球供给由日本Hoya、信越、AGC占据约83%份额，对日替代已成为产业链的共同主线。国内空白掩膜版核心变量在聚和材料：公司于2026年3月底完成对SKEnpulse株式会社空白掩膜版业务的收购交割，产品为适配DUV-ArF及KrF半导体光刻工艺的掩膜基板，主要应用于PSM相移掩模版，已通过SK海力士、TMC等客户认证并批量供货。掩膜版制造环节则呈现“第三方厂商多点追赶”格局：清溢光电已量产180nm、150nm小批量量产并推进130-40nmPSM/OPC与28nm工艺开发规划；路维光电路芯项目一期90nm成套及40nm/28nm单片掩膜版已验证供货、二期布局28-14nm；龙图光罩90nm已完成从研发到量产的跨越，国产进程如火如荼。